半導體激光器的分類有哪些？

半導體激光器在加工領域非常常見，不同類型的半導體激光器功能也不一樣。松盛光電來給大家介紹半導體激光器的分類，來了解一下吧。

按結構分類

邊發(fā)射激光器（Edge-Emitting Laser，EEL）：激光束垂直于半導體表面發(fā)射，可以從兩端進行光學耦合。具有較好的光束質量，適合用于遠距離通信和光纖傳感等領域。

面發(fā)射激光器（Surface-Emitting Laser，SEL）：激光束平行于半導體表面發(fā)射，可在垂直于半導體表面的方向上進行光學耦合。具有低閾值、單模輸出和易于二維陣列集成的特點，適用于短距離通信和并行光學信號處理等領域。

垂直腔表面發(fā)射激光器（Vertical Cavity Surface Emitting Laser，VCSEL）：激光束垂直于半導體表面發(fā)射，具有低閾值、單模輸出和圓形光斑等優(yōu)點，適合用于數據通信、光存儲和并行光學信號處理等領域。其結構特殊，在半導體芯片內部形成一個垂直的反射鏡結構，使激光在垂直方向上振蕩，制造工藝成熟，輸出功率高且波長可調，在光通信、光存儲、光打印等領域應用廣泛。

按工作物質和結構復合分類

同質結激光器：是最早出現的半導體激光器類型，其工作物質的結構較為簡單，由相同的半導體材料構成 PN 結。但這種激光器在室溫下多為脈沖器件，輸出功率較低，光束質量也相對較差，目前已較少使用，不過它為后續(xù)半導體激光器的發(fā)展奠定了基礎。

單異質結激光器：在同質結的基礎上，在 PN 結的一側加入了不同的半導體材料，形成了單異質結結構。這種結構使得激光器的性能有所提升，如閾值電流降低、輸出功率提高等，但在室溫下仍多為脈沖器件。

雙異質結激光器：在 PN 結的兩側都加入了不同的半導體材料，形成了雙異質結結構。這種結構能夠有效地限制載流子和光子的運動，大大提高了激光器的性能，使其在室溫下可實現連續(xù)工作，輸出功率和光束質量都有顯著提高，是目前應用較為廣泛的半導體激光器之一。

按特殊結構或效應分類

量子阱激光器：利用量子阱結構的電子束縛效應產生激光。在半導體材料中嵌入一層非常薄的勢阱，使電子只能在該層中運動，從而增強了電子與空穴的相互作用，提高了激光輸出效率，具有波長可調、輸出功率高、噪聲低等優(yōu)點，適用于光纖通信、醫(yī)療和光譜分析等領域。

分布式反饋激光器（Distributed Feedback Laser，DFB）：具有周期性折射率變化的結構，其激光束垂直于半導體表面發(fā)射，具有低閾值、單模輸出和窄線寬等優(yōu)點，適合用于光纖傳感、光相干雷達和密集波分復用(DWDM)系統等領域。

按激勵方式分類

電注入式半導體激光器：一般是由砷化鎵(GaAs)、硫化鎘(CdS)、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等材料制成的半導體面結型二極管，沿正向偏壓注入電流進行激勵，從而在結平面區(qū)域產生受激發(fā)射，是最常見的激勵方式，具有結構簡單、易于控制等優(yōu)點，廣泛應用于各種領域。

光泵式半導體激光器：一般用 N 型或 P 型半導體單晶做工作物質，以其他激光器發(fā)出的激光作為光泵激勵，這種方式可以實現較高的功率輸出，但需要外部的泵浦光源，系統相對復雜，常用于一些對功率要求較高且對系統體積要求不嚴格的特殊應用場合。

高能電子束激勵式半導體激光器：一般也是用 N 型或者 P 型半導體單晶做工作物質，通過由外部注入高能電子束進行激勵，可產生高功率的激光輸出，但設備成本高、體積大，主要應用于一些高端科研和軍事領域。